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Si3467DV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
0.30
25 °C, unless otherwise noted
800
700
0.25
600
0.20
0.15
0.10
V GS = 4.5 V
500
400
300
C iss
C oss
0.05
0.00
V GS = 10 V
200
100
0
C rss
0
5
10
15
20
25
0
4
8
12
16
20
10
8
6
4
2
0
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
I D = 5 A
V DS = 10 V
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
I D = 5 A
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 10 V
0
2
4
6
8
10
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
30
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.30
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 1.1 A
0.25
T J = 150 °C
10
1
T J = 25 °C
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
I D = 5 A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 72658
S09-0765-Rev. C, 04-May-09
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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